過(guò)去大家對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)器模型(MM)相當(dāng)重視，而忽視了帶電器件模型(CDM)對(duì)器件造成的損壞。近年的研究證明，在自動(dòng)化程度越來(lái)越高，器件本身帶電所造成的損壞遠(yuǎn)多于HBM和MM。IC等器件本身由于接觸分離及摩擦如從管內(nèi)倒出帶電，在接觸或處理器件如由機(jī)器手或人取出時(shí)會(huì)時(shí)器件會(huì)發(fā)生放電，在流水線上常見(jiàn)的ESD就是典型的CDM靜電放電。CDM與HBM和MM無(wú)論在試驗(yàn)原理方法和程序上都有很大的不同，HBM和MM都是由于IC外部的靜電放電造成IC等器件損壞，而CDM是器件對(duì)其它物體放電所造成的損壞，從模型的基本理論、測(cè)試原理，試驗(yàn)方法，測(cè)試設(shè)備都完全不同于HBM和MM。
CDM-I6K靜電試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)是按照標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的專門(mén)測(cè)試CDM的模擬器，具有試驗(yàn)電壓寬、精度高、分辨率高、穩(wěn)定性好(時(shí)漂小于0.1%)、價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。